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Nexperia、電力集約型インフラ向け1200V SiCショットキー?ダイオードを発表し、ワイドバンドギャップ製品ラインナップを拡充

Nexperia、電力集約型インフラ向け1200V SiCショットキー?ダイオードを発表し、ワイドバンドギャップ製品ラインナップを拡充

七月 10, 2025

Nijmegen -- 電力集約型のAIサーバー?ファームで高効率の電力変換を実現

Nexperiaはパワー?エレクトロニクス製品ラインアップの拡充を進める中で、新たに2種類の1200V?20Aシリコン?カーバイド(SiC)ショットキー?ダイオードを追加したと発表しました。PSC20120JPSC20120Lは、産業アプリケーションにおける高効率な電力変換を実現する超低損失整流器への需要に応えます。そのため、これらの新製品は電力負荷の大きいAIサーバー?インフラ、通信機器、太陽光インバータ?アプリケーション向けの電源ユニット(PSU)に最適です。

これらの新しいショットキー?ダイオードは溫度に依存しない容量性スイッチングとゼロリカバリ動作により、優れた性能指數(QC x VF)を発揮し、最先端の性能を提供します。さらに、電流やスイッチング速度の変動にほとんど依存しないスイッチング特性を有しています。新製品が備えるMPS(Merged PiN Schottky)構造は、高いピーク順方向電流(IFSM)が示すように、サージ電流に対して優れた堅牢性を提供します。そのため追加の保護回路が不要になり、システムの複雑さが大幅に軽減されるため、エンジニアは堅牢性が求められる高電圧アプリケーションにおいて、より小さなフォームファクタで高い効率を実現することができます。

PSC20120Jはリアル2ピンのD2PAK R2P(TO-263-2)の表面実裝(SMD)パワープラスチック?パッケージに、PSC20120Lはリアル2ピンのTO247 R2P(TO-247-2)のスルーホール?パワープラスチック?パッケージにそれぞれ封止されています。熱的に安定したこれらのパッケージは、高電圧アプリケーションにおいて175°Cまでの高溫動作時でもデバイスの信頼性向上に貢獻します。また、Nexperiaは堅牢な供給體制に支えられ、多様な半導體テクノロジー分野で質の高い半導體製品を提供していることで定評があり、設計者にとって心強い存在です。

 

NexperiaのSiCショットキー?ダイオード製品ラインナップについて詳しくはこちらをご覧ください:www.nexperia.com/products/diodes/silicon-carbide-sic-schottky-diodes

Nexperiaについて

オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、歐州、アジア、米國で15,000人以上の従業員を擁するグローバル半導體企業です。Nexperiaは必要不可欠な半導體の開発?製造におけるエキスパートとして、自動車、産業からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機器の基本機能を実現する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷臺數は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規格への準拠に現れています。

Nexperia: Efficiency wins.

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Tel: 03-3288-7264 Fax: 03-3288-6936

Email: nexperia_pr@pds-international.com

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