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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調節ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

安世半導體董事長張學政耶魯峰會演講:全球化是人類文明進步的驅動力
  • 新聞稿
三月 31, 2025

安世半導體董事長張學政耶魯峰會演講:全球化是人類文明進步的驅動力

第十一屆耶魯中美峰會在耶魯大學科學大樓主會場及耶魯北京中心分會場同步舉行,本屆峰會以“匯聚岸邊:未來之橋”為主題,吸引了來自全球學術、政商、科技及文化領域的數百位領袖參會。在峰會上,安世半導體 ...

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三月 25, 2025

Nexperia推出12通道LED驅動器,賦能ASIL-B功能安全標準汽車照明設計

有效降低發熱,助力空間受限應用實現更高集成度

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Nexperia推出采用行業領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
  • 新聞稿
三月 19, 2025

Nexperia推出采用行業領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

Nexperia推出采用行業領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

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三月 18, 2025

Nexperia擴展GaN FET產品組合,現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

新增產品確保了Nexperia持續擁有業內廣泛的GaN FET產品類型

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Nexperia全新推出高精度和超低靜態電流的汽車級LDO系列
  • 新聞稿
二月 20, 2025

Nexperia全新推出高精度和超低靜態電流的汽車級LDO系列

Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100標準的超低靜態電流通用低壓差(LDO)穩壓器。該新系列同時包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護功能,且輸入電壓范圍較寬,因此可直接連接 ...

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Nexperia發布首款符合10BASE-T1S開放技術聯盟標準的車規級 ESD保護二極管
  • 新聞稿
二月 11, 2025

Nexperia發布首款符合10BASE-T1S開放技術聯盟標準的車規級 ESD保護二極管

這些低電容器件還能夠保護適用于100/1000BASE-T1標準的12/24/48V網絡,幫助汽車制造商簡化電路板設計,優化供應鏈管理。

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一月 26, 2025

Nexperia推出具有超低靜態電流的新款降壓DC-DC轉換器以提高設計靈活性

高效轉換器可在寬輸入電壓范圍內提供低輸出紋波 Nexperia今日宣布推出全新系列降壓DC-DC轉換器。這些器件具有出色的待機和工作效率,為工程師在消費電子、工業和汽車終端市場中設計各種固定 ...

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通過創新PMIC降低BOM成本,Nexperia增強能源采集產品組合
  • 新聞稿
一月 07, 2025

通過創新PMIC降低BOM成本,Nexperia增強能源采集產品組合

完整的電源管理解決方案實現了無電感設計

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十二月 10, 2024

Nexperia推出新一代固定方向電壓電平轉換器,可降低功耗并減少引腳數量

適合具有方向控制和自動方向要求的應用解決方案

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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
  • 新聞稿
十二月 09, 2024

CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現

提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力

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